大尺寸高熵高纯度难熔金属合金溅射靶材及其制备工艺
实质审查的生效
摘要
本发明属于高熵难熔金属合金溅射靶材技术领域，具体涉及一种大尺寸高熵高纯度难熔金属合金溅射靶材及其制备工艺，包括以下步骤：步骤S1，将金属粉与用氟和/或氯元素气体反应，制备出卤化物前驱体；步骤S2，对卤化物前驱体进行提纯，得到高纯度卤化物；步骤S3，将高纯度卤化物采用化学气相沉积法用还原气体还原成高纯金属；步骤S4，将高纯金属沉积到基体材料上，一步法生产出大尺寸高熵高纯度难熔金属合金溅射靶材；本发明制备的大尺寸高熵高纯度难熔金属合金溅射靶材，具有工序简单、尺寸大、纯度高、密度高、一致性好等优势。
基本信息
专利标题 ：
大尺寸高熵高纯度难熔金属合金溅射靶材及其制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114525485A
申请号 ：
CN202210072452.5
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐从康马赛贺涛陈箫箫
申请人 ：
亚芯半导体材料（江苏）有限公司;亚芯电子科技（常州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市天宁区福阳路61号
代理机构 ：
常州市权航专利代理有限公司
代理人 ：
周洁
优先权 ：
CN202210072452.5
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C22C30/00 C23C16/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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