Sb－Te系合金烧结体溅射靶

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明涉及一种以Sb及Te中的至少一种为主要成分的Sb－Te系合金烧结体溅射靶，其特征在于，表面粗糙度Ra为0.4μm以下，除去气体成分的纯度为4N以上，作为杂质的气体成分的含量为1500ppm以下，平均结晶粒径为50μm以下。本发明还涉及上述Sb－Te系合金烧结体溅射靶，其特征在于，在利用机械加工的表面处理时发生的最大长度10μm以上的缺陷的密度为每800μm正方中存在80个以下。本发明实现了Sb－Te系合金溅射靶组织的均匀和微细化，抑制烧结靶的裂纹的发生，在溅射时防止电弧放电的发生。另外，本发明减少了由于溅射腐蚀所产生的表面凹凸，得到了品质良好的Sb－Te系合金溅射靶。

基本信息

专利标题：

Sb－Te系合金烧结体溅射靶

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101068947A

申请号：

CN200580041155.9

公开（公告）日：

2007-11-07

申请日：

2005-09-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

高桥秀行

申请人：

日矿金属株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

樊卫民

优先权：

CN200580041155.9

主分类号：

C23C14/34

IPC分类号：

C23C14/34 C22C12/00 B41M5/26 G11B7/26 C22C1/04

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C14/00

通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆

C23C14/22

以镀覆工艺为特征的

C23C14/34

溅射

法律状态

2011-03-30 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101079486521
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利申请号 : 2005800411559
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 日矿金属株式会社
变更后权利人 : JX日矿日石金属株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20110222

2010-08-11 ：

发明专利申请公布后的驳回

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003964016
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利申请号 : 2005800411559
公开日 : 20071107

2008-01-02 ：

实质审查的生效

2007-11-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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