一种基于分阶段热处理的薄膜制备方法及其复合薄膜
实质审查的生效
摘要

本申请公开了一种基于分阶段热处理的薄膜制备方法及其复合薄膜,所述方法包括:获取单晶晶圆和衬底晶圆;通过离子注入法将离子注入单晶晶圆,将所述单晶晶圆依次分为余质层、分离层和薄膜层;将单晶晶圆和衬底晶圆进行键合,形成键合体;将键合体放入退火炉内进行热处理,将键合体放入退火炉内分阶段依次进行增强键合力热处理、薄膜层和余料层分离热处理、消除离子损伤热处理,得到复合薄膜。本申请通过将键合体进行分阶段热处理,提高了键合力,将薄膜层和余料层分离以减少薄膜破裂的风险,消除了离子因为注入时造成的损伤,最终实现提升了复合薄膜的质量,进而提高了下游器件的成品率。

基本信息
专利标题 :
一种基于分阶段热处理的薄膜制备方法及其复合薄膜
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114420833A
申请号 :
CN202210089179.7
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-01-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
胡文胡卉李真宇张秀全
申请人 :
济南晶正电子科技有限公司
申请人地址 :
山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806
代理机构 :
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 :
逯长明
优先权 :
CN202210089179.7
主分类号 :
H01L41/312
IPC分类号 :
H01L41/312  H01L41/253  H01L41/37  H01L41/18  
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 41/312
申请日 : 20220125
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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