法珀光学MEMS加速度敏感芯片、增敏方法及传感器
实质审查的生效
摘要

本发明提供法珀光学MEMS加速度敏感芯片、增敏方法及传感器,所述法珀MEMS加速度敏感芯片由可动镜面、腔体、固定镜面组成;所述可动镜面包含固定框架、光子晶体平板质量块、支撑弹簧,其中,可动镜面的表面刻蚀有呈周期性排列的第一通孔形成第一二维光子晶体结构,固定镜面的表面刻蚀有与所述可动镜面相同周期性排列的第二通孔形成第二二维光子晶体结构,所述第一二维光子晶体结构、腔体和第二二维光子晶体结构共同构成法布里珀罗腔。本发明提供的增敏方法可以通过对二维光子晶体通孔的占空比的设计来调节法布里珀罗腔的反射率,进而达到增加加速度传感器灵敏度的作用,此外,该方法具有增敏适用波长范围宽、实现方法简单的优势。

基本信息
专利标题 :
法珀光学MEMS加速度敏感芯片、增敏方法及传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114414844A
申请号 :
CN202210094929.X
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-01-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
韦学勇赵明辉李博齐永宏蒋庄德
申请人 :
西安交通大学
申请人地址 :
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 :
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 :
张宇鸽
优先权 :
CN202210094929.X
主分类号 :
G01P15/093
IPC分类号 :
G01P15/093  B81B7/02  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01P
线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量;运动的存在或不存在的指示;运动的方向的指示、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S;核辐射速度的测量入G01T)
G01P15/00
测量加速度;测量减速度;测量冲击即加速度的突变
G01P15/02
利用惯性力
G01P15/08
用变换成电或磁量
G01P15/093
采用光电法取样
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01P 15/093
申请日 : 20220126
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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