一种提高溅射速率的磁场结构
公开
摘要
本发明属于一种提高溅射速率的磁场结构，包括靶管（1），其特征在于一条中心磁铁（2），两条中间磁铁（3），两条边缘磁铁（4）共五条磁铁，以NS极交替设置放置在靶管上1，靶管上装有配重（6），靶材（5）套在靶管上，该发明结构简单，有效提升靶材的溅射速率，加快了涂层沉积速度，缩短了镀膜时间，降低了镀膜成本。
基本信息
专利标题 ：
一种提高溅射速率的磁场结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381704A
申请号 ：
CN202210103623.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈大民白春阳孙英斌
申请人 ：
纳诺精机（大连）有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市保税区东北七街14-01-04-0039-1室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210103623.6
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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