一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构，所述半导体模块为二维半导体材料，所述金属电极模块为表面无悬挂键的二维半金属材料，所述二维半导体材料与二维半金属材料之间界面为表面粗糙度在0.01‑1nm且表面无悬挂键的范德华界面，所述二维半导体材料与二维半金属材料的层间距小于1nm；本发明的二维半金属材料具有合适的高功函数，以匹配半导体材料的能带边缘，并最终确保接近零的肖特基势垒，其场效应晶体管在室温下显示出创纪录高迁移率，减少肖特基势垒的全二维接触，并展示了其减少肖特基势垒的优化机制，有助于基于二维半导体的肖特基结设计和优化。
基本信息
专利标题 ：
一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429988A
申请号 ：
CN202210107442.0
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张跃张先坤张铮于慧慧黄梦婷汤文辉高丽卫孝福
申请人 ：
北京科技大学
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路30号
代理机构 ：
北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202210107442.0
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/24
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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