本发明公开了一种半导体生产用石墨坩埚蒸铝的工艺，涉及半导体生产技术领域。本发明包括以下步骤：将硅片和石墨坩埚均预热至45～55℃；将预热后的硅片放置在石墨坩埚的载物台上，然后对石墨坩埚抽真空处理；抽真空完成后，点燃高纯度铝蒸汽源，生成铝蒸汽，并启动超声波发生器，在超声波外场作用下对铝蒸汽进行超声处理，处理后的铝蒸汽向硅片扩散并降落到硅片上形成内层铝膜。本发明通过将镀膜分为内层镀膜和外层镀膜，使得镀膜的附着性更好，采用超声波技术辅助镀膜，分散性更高，可带来更高的均匀度、更薄的涂层厚度以及更高的精度，解决了现有的半导体蒸铝工艺铝膜厚度品质控制能力低，铝膜的均匀性不够理想，产品质量低下的问题。