一种普适性自封装钙钛矿薄膜的制备方法
公开
摘要
本发明公开一种普适性自封装钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：首先，将不同种类聚合物溶液旋涂于基底上面，利用极性溶剂对聚合物薄层进行刻蚀和钙钛矿液相结晶的优势，使产生的聚合物参与并调控钙钛矿的成核和生长过程，形成了聚合物自包覆的钙钛矿薄膜。本发明提供的自封装钙钛矿薄膜制备过程简单，成本低且可重复性高，具有普适性，并且得到的自封装钙钛矿薄膜具有较高的结晶质量和良好的环境稳定性，极大地推动了太阳能电池、发光二极管、光探测器等钙钛矿光电子的商业化应用。
基本信息
专利标题 ：
一种普适性自封装钙钛矿薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566596A
申请号 ：
CN202210192290.9
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程群峰战岩
申请人 ：
北京航空航天大学
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路37号
代理机构 ：
北京科迪生专利代理有限责任公司
代理人 ：
李晓莉
优先权 ：
CN202210192290.9
主分类号 ：
H01L51/42
IPC分类号 ：
H01L51/42 H01L51/46 H01L51/48
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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