低温氧化/氮化处理提高钕铁硼抗蚀性的方法
公开
摘要
本发明公开一种低温氧化/氮化处理提高钕铁硼抗蚀性的方法，通过200～400℃的低温氧化/氮化处理，在钕铁硼磁体表面原位生长氧化物、氮化物或氮氧化物薄层，大幅提高磁体的抗蚀性。本方法操作简单，生产成本低，不同于传统电镀和化学镀等方法，是一种绿色、安全、高效的技术方法。根据工艺调整，磁体表面生成的氧化物、氮化物或氮氧化物薄层厚度在10nm～100μm间连续可调，提高磁体抗蚀性的同时可保持优异的磁性能。并且，本方法磁体表面薄层为原位生成，与基体结合力强，长时稳定，可大批量推广应用。
基本信息
专利标题 ：
低温氧化/氮化处理提高钕铁硼抗蚀性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566370A
申请号 ：
CN202210199160.8
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严密金佳莹陈望吴琛
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区浙大路38号浙江大学玉泉校区铸工楼203B
代理机构 ：
北京中睿智恒知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓大为
优先权 ：
CN202210199160.8
主分类号 ：
H01F41/02
IPC分类号 ：
H01F41/02 H01F1/057
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F41/00
专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法
H01F41/02
用于制造磁芯、线圈或磁体的
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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