本发明公开了一种低压MEMS压力传感器及其制备方法，传感器包括：器件层以及键合连接在其相对两侧的第一支撑层和第二支撑层；器件层靠近所述第一支撑层一侧表面刻蚀有第一腔体，第二支撑层靠近器件层一侧表面刻蚀有第二腔体；第一腔体和所述第二腔体之间的器件层作为应变薄膜层；应变薄膜层靠近第二支撑层的一侧表面设置有压敏组件，器件层靠近第二支撑层的一侧，围绕惠斯通电桥部件的边缘外围设置有闭环的第二导电条，第二导电条与惠斯通电桥部件之间通过沟槽间隔开，惠斯通电桥部件的电源端与第二导电条电连接。本结构减小了应力对应变薄膜的影响，提高了第一腔体的刻蚀精度，减小了芯片面积，降低了成本，还可以保障应变薄膜厚度的均匀性。