一种解决金属填充Metal Fill引起芯片时序恶化的方...
公开
摘要
本发明实施例涉及一种解决金属填充Meta l F i l l引起芯片时序恶化的方法。在布局布线步骤中，获取芯片中各个时序路径上各时序端点的建立时间和保持时间；根据芯片的时钟周期确定各个时序端点发生建立时间违例对应的第一违例时间和保持时间违例对应的第二违例时间；对每个时序路径确定各时序端点的建立时间与第一违例时间的时间间隔是否满足设定的时序裕度，以及对每个时序路径确定从建立时间起经过保持时间后的终止时间与第二违例时间的时间间隔是否满足设定的时序裕度；当存在任一不满足时，确定时序路径为时序风险路径，并以设定宽度生成虚拟阻挡层，沿时序风险路径设置虚拟阻挡层，用以后续在金属填充时阻挡在虚拟阻挡层所占位置上执行金属填充。
基本信息
专利标题 ：
一种解决金属填充Metal Fill引起芯片时序恶化的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114580342A
申请号 ：
CN202210209793.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵少峰高本峰
申请人 ：
东科半导体（安徽）股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省马鞍山市马鞍山经济技术开发区银黄东路999号数字硅谷产业园38栋101-401
代理机构 ：
北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
白洁
优先权 ：
CN202210209793.2
主分类号 ：
G06F30/398
IPC分类号 ：
G06F30/398 G06F30/394 G06F30/392 G06F30/337 G06F30/3312 G06F115/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/398
设计验证或优化，例如：使用设计规则检查、布局与原理图或有限元方法
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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