一种芯片中冗余金属填充方法、芯片和半导体器件
授权
摘要
本申请公开了一种增加芯片中电容的方法，包括：确定芯片所需增加的电容值；根据电容值确定芯片中金属层所需的冗余金属的长度值；将总长度为长度值的冗余金属插入金属层的预设区域并连接在供电电源和接地电源上，连接在供电电源上的冗余金属与连接在接地电源上的冗余金属以叉指形式排布。本申请通过插入冗余金属来增加芯片的电容，将冗余金属连接在金属层的供电电源和接地电源上，使得供电电源和接地电源之间的电容增加，即增加芯片的电容，且无需使用光罩，降低成本，简化芯片制作工艺，同时由于电容可以存储电量，还具有稳压的作用；冗余金属以叉指形式排布，可以减少占用面积，并增大单位面积增加的电容量。本申请还提供一种芯片和半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片中冗余金属填充方法、芯片和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114220798A
申请号 ：
CN202210159445.9
公开（公告）日 ：
2022-03-22
申请日 ：
2022-02-22
授权号 ：
CN114220798B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
侯鹅邱进超王云鹏
申请人 ：
苏州浪潮智能科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王燕
优先权 ：
CN202210159445.9
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2022-04-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20220222
申请日 : 20220222
2022-03-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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