低功率多芯片半导体存储器件及其芯片使能方法
专利权的终止
摘要
提供了一种多芯片半导体器件及其芯片使能方法，其能够选择性地激活和去激活该多芯片半导体器件的各个半导体芯片。根据内部芯片使能信号激活和去激活所述器件的各个半导体芯片。
基本信息
专利标题 ：
低功率多芯片半导体存储器件及其芯片使能方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815722A
申请号 ：
CN200510129742.5
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙东佑赵志虎金明载李元柱崔钟文
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200510129742.5
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/50 H01L25/00 G11C7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2016-01-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101643904106
IPC(主分类) : H01L 23/48
专利号 : ZL2005101297425
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20141206
号牌文件序号 : 101643904106
IPC(主分类) : H01L 23/48
专利号 : ZL2005101297425
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20141206
2009-05-27 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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