一种宽光谱高反射率的光电器件
公开
摘要
本发明公开了一种宽光谱高反射率的光电器件，主要包括：由(1)～(2)构成的基本结构。(1)是氮化硼层，位于结构上部，是光线的入射面；(2)是硅层，位于结构下部；(1)、(2)材料的厚度均在微米量级或纳米量级。基本结构可以单独构成简单的器件，也可以堆叠组合构成多层的结构；通过基本结构的堆叠，可以针对特定的光谱范围具有高反射率特性，更具有使用的灵活性。本发明通过半导体材料氮化硼和硅的组合形成高反射率的光电器件或光学器件，成本低、易于制备，性能稳定、使用方便，其性能明显优于金属材料结构的高反射膜，具有新颖性、创造性和实用性。
基本信息
专利标题 ：
一种宽光谱高反射率的光电器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609712A
申请号 ：
CN202210234953.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
熊锡成李敏黄全振
申请人 ：
河南工程学院
申请人地址 ：
河南省郑州市新郑市龙湖镇祥和路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210234953.9
主分类号 ：
G02B5/08
IPC分类号 ：
G02B5/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
G02B5/08
反射镜
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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