一种多功能等离子体设备及等离子体生成方法
公开
摘要
本申请公开了一种多功能等离子体设备及等离子体生成方法，涉及材料表面处理技术领域。多功能等离子体设备包括真空室、工件台、弧源组件、磁控溅射靶源组件、偏压电源、弧电源组件和磁控溅射电源，所述工件台、所述弧源组件和所述磁控溅射靶源组件均安装于所述真空室内；所述工件台转动安装于所述真空室，所述弧源组件和所述磁控溅射靶源组件分别设置于所述工件台的周向；所述工件台与所述偏压电源连接，所述弧源组件与所述弧电源组件连接，所述磁控溅射靶源组件与所述磁控溅射电源连接。本申请提供的多功能等离子体设备可提供多种等离子体，实现表面清洗、表面活化和镀膜多种操作。
基本信息
专利标题 ：
一种多功能等离子体设备及等离子体生成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622180A
申请号 ：
CN202210236224.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田修波宋光耀
申请人 ：
松山湖材料实验室
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
郭晨晨
优先权 ：
CN202210236224.7
主分类号 ：
C23C14/56
IPC分类号 ：
C23C14/56 C23C14/02 C23C14/28 C23C14/32 C23C14/35 H01J37/34 H05H1/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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