自参考和自校准干涉图案叠加测量
实质审查的生效
摘要

本申请实施例涉及自参考和自校准干涉图案叠加测量。两对对准标靶(一对对齐,另一对错位一偏置距离)形成在不同的掩模上以产生第一对共轭干涉图案。另一对对准标靶也形成于掩模上以产生相较于该第一对倒置的第二对共轭干涉团。当使用该掩模所形成的图案被覆盖时,两对共轭干涉图案中的该第一干涉图案和该第二干涉图案的暗区与亮区的失准被确定。计算一放大系数(该干涉图案失准对该标靶失准的放大系数),以作为该干涉图案对中的相对暗区和相对亮区的失准的差值相对于两倍该偏置距离的比率。该干涉图案失准除以该放大系数以产生一自参考且自校准标靶失准量并予以输出。

基本信息
专利标题 :
自参考和自校准干涉图案叠加测量
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114460816A
申请号 :
CN202210245037.5
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2018-12-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨东岳戴鑫托朴东锡唐明浩姆德·莫塔西·贝拉帕凡·库玛尔·查特哈马佩塔·史瑞帕达拉C·W·王
申请人 :
科磊股份有限公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 :
刘丽楠
优先权 :
CN202210245037.5
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  G03F9/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20181221
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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