一种硅圆膜压阻传感器、及其实现方法
公开
摘要
本发明提供一种硅圆膜压阻传感器及其实现方法。该方法包括在晶向<100>的N型硅圆膜上通过扩散工艺设置结深相同、构成惠斯通平衡电桥的电阻R1、R2、R3、R4，电阻R1、R3串联作为惠斯通平衡电桥的一臂、电阻R2、R4串联作为惠斯通平衡电桥的另一臂；电阻R1和R2阻值相等、两端硅晶向<110>分别设置在硅圆膜上的各自指定位置，电阻R3和R4阻值相等、两端沿硅晶向设置在硅圆膜上、满足电阻R3、R4所受到的横向应力与电阻R1、R2所受到的纵向应力相等的位置。本发明提供的方法能够改善惠斯通平衡电桥形式的压阻传感器压阻变化的线性度。
基本信息
专利标题 ：
一种硅圆膜压阻传感器、及其实现方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114608730A
申请号 ：
CN202210302247.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卢宇马霞王轶军张静锁正儒
申请人 ：
天水天光半导体有限责任公司
申请人地址 ：
甘肃省天水市秦州区环城西路7号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
程晓
优先权 ：
CN202210302247.3
主分类号 ：
G01L1/18
IPC分类号 ：
G01L1/18 G01L9/00 G01L9/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质，即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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