一种MEMS传感器及其制造方法、晶圆模组
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种MEMS传感器及其制造方法、晶圆模组。MEMS传感器的制造方法包括:提供第一、二主体;第一主体上设有第一焊接环,第二主体上设有与第一焊接环对应的第二焊接环;在第一、二焊接环中至少一个的顶面设置焊料;焊料包括具有第一熔点的第一焊料和具有第二熔点的第二焊料,在第二焊料处形成有缺口部;第二熔点高于第一熔点;将第一、二主体对应设置,第一、二焊接环相对应;加热使得第一、二焊料依序熔化而熔合于一起形成闭合环状的第一焊接层,将第一、二焊接环焊接于一起形成一MEMS容设腔;缺口部在第二焊料熔化时被封堵。上述方法在缺口部被封堵前,可一直有气体自缺口部外流,有利于提高封焊后MEMS容设腔的真空度。
基本信息
专利标题 :
一种MEMS传感器及其制造方法、晶圆模组
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114436207A
申请号 :
CN202210338129.8
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-04-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
宋亚伟宋学谦迟海徐振宇
申请人 :
杭州海康微影传感科技有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开发区求是路299号A1号楼
代理机构 :
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 :
杨春香
优先权 :
CN202210338129.8
主分类号 :
B81C3/00
IPC分类号 :
B81C3/00 B81C1/00 B81B7/02 B23K31/02
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C3/00
从单独处理过的部件组装装置或系统
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81C 3/00
申请日 : 20220401
申请日 : 20220401
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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