一种用于芯片制造的加热装置
授权
摘要
本实用新型涉及芯片制造技术，用于解决加热板散热块，耗能高且容易影响其他相邻步骤的问题，具体为一种用于芯片制造的加热装置；本实用新型中通过第一保温盖与第二保温盖合并来起到保温作用，降低加热板周围的热量散失，从而使得加热板无需持续快速加热，减少了对加热板持续加热所造成的能量损耗，同时因为加热板对外界的热量散失减少，也使得加热板对相邻工序的温度影响减小，加热板上方的第一保温盖与第二保温盖会优先于支撑杆进行动作，从而避免影响晶圆片的落下与顶起，同时第一保温盖与第二保温盖以及支撑杆的控制均有同一组驱动气缸完成，降低了能量消耗，简化了设备结构，有利于设备的低成本维护。
基本信息
专利标题 ：
一种用于芯片制造的加热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220135971.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
CN216749826U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
张军区王振兴叶挺
申请人 ：
南方华创半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区锦溪路99号江大科技园3号楼102-54室
代理机构 ：
合肥锦辉利标专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈道升
优先权 ：
CN202220135971.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H05B3/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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