绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是一种制备SOI材料的激光加热再结晶方法，属于半导体器件及集成电路的制造工艺。本发明采用激光加热方法使两层SiO2中间的多晶Si再结晶，从而得到良好表面质量的SiO材料，可供制造器件和集成电路。本方法与常规的集成电路工艺相容，工艺简单，而且提高了激光能量的利用率。
基本信息
专利标题 ：
绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103942A
申请号 ：
CN85103942.1
公开（公告）日 ：
1986-12-24
申请日 ：
1985-05-16
授权号 ：
CN85103942B
授权日 ：
1988-03-16
发明人 ：
林成鲁邹世昌沈宗雍
申请人 ：
中国科学院上海冶金所
申请人地址 ：
上海市长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
季良赳
优先权 ：
CN85103942.1
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L21/428
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
1993-08-11 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1988-12-21 ：
授权
1988-03-16 ：
审定
1986-12-24 ：
公开
1986-12-03 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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