减少双极器件的管道漏电和表面漏电的方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种简便易行的减少半导体器件的管道漏电流和表面漏电流的方法。本发明所提供的方法利用离子注入吸杂技术，在半导体基区表面附近的局部区域内和发射区表面附近的局部区域内形成远离eb结的吸杂缺陷。采用本发明所提供的方法不仅能有效地减少管道漏电和表面漏电，改善器件的性能，提高成品率，而且工艺简便，有利于降低成本。
基本信息
专利标题 ：
减少双极器件的管道漏电和表面漏电的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86102476A
申请号 ：
CN86102476.1
公开（公告）日 ：
1987-02-11
申请日 ：
1986-04-10
授权号 ：
CN86102476B
授权日 ：
1988-03-23
发明人 ：
潘姬赵洪林殷淑华
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区七里台
代理机构 ：
天津大学专利代理事务所
代理人 ：
刘志刚
优先权 ：
CN86102476.1
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/322 H01L29/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
1990-08-15 ：
专利权的终止
1989-06-21 ：
授权
1988-03-23 ：
审定
1987-02-11 ：
公开
1986-09-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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