高导电性聚合体组成物及其制造方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明提供了一种高导电性聚合体组成物，它是在中性化的具有■电子共轭结构的导电性聚合体上掺杂阴离子性高分子电解质而制成的。该组成物可以长时间稳定维持掺杂状态，并且，可随意控制掺杂剂含量，还明确阐述了该聚合体组成物的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
高导电性聚合体组成物及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87108059A
申请号 ：
CN87108059.1
公开（公告）日 ：
1988-06-22
申请日 ：
1987-11-27
授权号 ：
CN1016610B
授权日 ：
1992-05-13
发明人 ：
酒井敏幸小林正雄
申请人 ：
昭和电工株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
杨丽琴
优先权 ：
CN87108059.1
主分类号 ：
C08F34/00
IPC分类号 ：
C08F34/00 H01B1/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08F
仅用碳-碳不饱和键反应得到的高分子化合物
C08F34/00
环状化合物的均聚物或共聚物，该环状化合物侧链上没有不饱和脂族基，而在杂环上有1个或更多的碳-碳双键
法律状态
2008-01-23 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-03-20 ：
其他有关事项
1993-02-17 ：
授权
1992-05-13 ：
审定
1990-03-07 ：
实质审查请求
1988-06-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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