宽束冷阴极离子源
专利权的终止专利权的主动放弃
摘要
本实用新型是宽束冷阴极离子源，用于薄膜离子束辅助淀积的装置，其主要部件是冷阴极、阳极和一个以上多孔引出栅组成的放电室，放电室处于永磁体形成的磁场中，该离子源可安装于各类真空镀膜机中，具有离子束束流密度和离子能量调节范围大，束径大，束流分布均匀，寿命长，性能受工作气体种类影响小。本实用新型结构简单，制造容易，使用方便，并广泛使用于铝、银、金、硫化锌、氟化镁及多种氧化物薄膜的离子束辅助淀积，比用常规工艺制得的薄膜强度高，化学稳定性和光学稳定性优良。
基本信息
专利标题 ：
宽束冷阴极离子源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN89217519.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1989-10-06
授权号 ：
CN2053796U
授权日 ：
1990-02-28
发明人 ：
严一心夏慧琴卢进军王树棠刘吉祥刘卫国
申请人 ：
西安工业学院
申请人地址 ：
陕西省西安市金花北路七号710032
代理机构 ：
国家机械委军工专利事务所
代理人 ：
王松山
优先权 ：
CN89217519.2
主分类号 ：
H01J27/04
IPC分类号 ：
H01J27/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J27/00
离子束管
H01J27/02
离子源；离子枪
H01J27/04
应用反射放电的，如彭宁离子源
法律状态
1993-02-03 ：
专利权的终止专利权的主动放弃
1990-09-19 ：
授权
1990-02-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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