一种离子敏场效应器件保护装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种适用于离子敏场效应器件的保护装置。该保护装置由一个具有过电压泄流能力的电路构成，其特征是由保护电极与一组互为反向的二极管构成，保护装置的一端通过保护电极与试液相通，一端与离子敏场效应器件的源极、漏极或基极相连。离子敏场效应器件增加保护装置后，可以使器件在使用过程中，对于因静电作用在离子敏场效应器件绝缘栅上产生的高电压受到抑制，从而有效地保护了离子敏场效应器件，提高了器件的稳定性可靠性和使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种离子敏场效应器件保护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN89220420.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1989-12-05
授权号 ：
CN2073168U
授权日 ：
1991-03-13
发明人 ：
洪重光张学鹏李志强赵兴黄晓兰
申请人 ：
北京哈尼传感技术联合开发公司
申请人地址 ：
100011北京市756信箱
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN89220420.6
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 G01N27/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
1995-01-25 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-09-25 ：
授权
1991-03-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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