使用高阶离轴对准信号确定对准位置的方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
一种使用高阶离轴对准信号确定对准位置的方法，包括如下步骤：(a)在扫描过程中使用光电传感器进行信号测量，得到多级次信号；(b)校正各级次信号间的相位偏移；(c)确定各级次信号的对准位置；(d)根据各级次信号的对准位置确定最终对准位置。本发明在确定对准位置时使用了高阶对准信号，通过计算各级次信号的对准位置来确定最终的对准位置，大大提高对准位置的计算精度。
基本信息
专利标题 ：
使用高阶离轴对准信号确定对准位置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779572A
申请号 ：
CN200510030577.8
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孔正国
申请人 ：
上海微电子装备有限公司
申请人地址 ：
201203上海市张江高科技园区张东路1525号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
王洁
优先权 ：
CN200510030577.8
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2018-04-24 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : G03F 7/20
变更事项 : 专利权人
变更前 : 上海微电子装备有限公司
变更后 : 上海微电子装备（集团）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201203 上海市张江高科技园区张东路1525号
变更后 : 201203 上海市张江高科技园区张东路1525号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 上海微电子装备有限公司
变更后 : 上海微电子装备（集团）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201203 上海市张江高科技园区张东路1525号
变更后 : 201203 上海市张江高科技园区张东路1525号
2009-03-11 ：
授权
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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2、
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