使用用于像素对准的校正循环的缺陷位置确定

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摘要

一种在半导体晶片缺陷检验系统处执行半导体晶片图像对准的方法。在所述方法中，将半导体晶片装载到所述半导体晶片缺陷检验系统中。针对所述半导体晶片执行预检验对准。在执行所述预检验对准之后，实行第一扫描带以产生所述半导体晶片上的第一区的第一图像。确定所述第一图像中的目标结构相对于已知点的偏移。使用所述偏移针对所述第一图像执行缺陷识别。在实行所述第一扫描带且确定所述偏移之后，实行第二扫描带以产生所述半导体晶片上的第二区的第二图像。在实行所述第二扫描带时，使用所述偏移来执行所述半导体晶片的运行时间对准。

基本信息

专利标题：

使用用于像素对准的校正循环的缺陷位置确定

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112789713A

申请号：

CN201980065115.X

公开（公告）日：

2021-05-11

申请日：

2019-10-15

授权号：

CN112789713B

授权日：

2022-05-27

发明人：

D·道林T·辛格B·布拉尔S·巴塔查里亚B·曼蒂普利李胡成李晓春S·S·帕克

申请人：

科磊股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

刘丽楠

优先权：

CN201980065115.X

主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

H01L21/66 H01L21/67 G06T7/00