高介电常数栅介质PrAlxO
专利权的终止
摘要
一种材料技术领域的高介电常数栅介质PrAlxOy薄膜，包含的组分及重量百分比为：Al2O31％～24％，其余为Pr2O3。当Al2O3重量百分比为12％时，PrAlxOy与硅的界面层最薄，等效介电常数为25。本发明所得PrAlxOy薄膜为非晶薄膜，经800℃快速热处理5分钟仍保持非晶状态，结晶温度高，与硅片的界面稳定性好。PrAlxOy薄膜具有高介电常数和低漏电流的性质，不仅可用于MOSFET结构中的栅介质材料，也可用于射频电路和混合信号集成电路中MIM结构的绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
高介电常数栅介质PrAlxOy薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794465A
申请号 ：
CN200510030973.0
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
凌惠琴陈寿面李明毛大立杨春生
申请人 ：
上海交通大学;上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址 ：
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海交达专利事务所
代理人 ：
王锡麟
优先权 ：
CN200510030973.0
主分类号 ：
H01L29/51
IPC分类号 ：
H01L29/51 H01L29/78 H01L29/739
法律状态
2013-01-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101374117615
IPC(主分类) : H01L 29/51
专利号 : ZL2005100309730
申请日 : 20051103
授权公告日 : 20081210
终止日期 : 20111103
号牌文件序号 : 101374117615
IPC(主分类) : H01L 29/51
专利号 : ZL2005100309730
申请日 : 20051103
授权公告日 : 20081210
终止日期 : 20111103
2008-12-10 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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