大颗粒单晶金刚石的直流等离子体沉降制备方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种大颗粒单晶金刚石的直流等离子体沉降制备方法，属于直流等离子体技术领域。大颗粒单晶金刚石是在5－100kW直流等离子体喷射设备上制备的，沉积腔初始的真空为10^－2－10^－1Pa，充入反应气体后，沉积腔的压强在10⁰－10⁴Pa之间，充入的反应气体为Ar、H₂和CH₃，流量分别为：Ar为1－3slm；H₂为4－8slm；CH₃为100－300sccm。等离子体的成分为H、CH、C₂激元；基材为<111>±30°晶体取向的单晶金刚石；基材在制备中过程中温度始终保持在950－1100℃之间。本发明的优点在于：提供了一条快速制备单晶金刚石的途径，使单晶制备速度达到30－40mg/h。

基本信息

专利标题：

大颗粒单晶金刚石的直流等离子体沉降制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1763267A

申请号：

CN200510086580.1

公开（公告）日：

2006-04-26

申请日：

2005-10-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈广超李彬吕反修佟玉梅

申请人：

北京科技大学

申请人地址：

100083北京市海淀区学院路30号

代理机构：

北京科大华谊专利代理事务所

代理人：

刘月娥

优先权：

CN200510086580.1

主分类号：

C30B25/02

IPC分类号：

C30B25/02 C30B29/04