用粉末注射成形/压力熔浸法制备电子封装材料的方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种用粉末注射成形/压力熔浸法制备电子封装材料的方法，属于电子封装材料制备技术领域。首先配料、混合，将SiC颗粒与粘结剂以体积比为：(55～75)∶(45～25)混合，然后采用挤压连续式混炼法混料，混料冷却后用球磨机研磨，再进行注射成形，对注射成形后得到的坯件进行脱脂处理。本发明所述的SiC颗粒选用7～28μm，粘结剂成分质量比为：石蜡∶聚乙烯∶硬脂酸＝(5～7)∶(5～3)∶(1～2)。本发明的优点在于：能够制备SiC含量55～75％的SiCp/Al电子封装材料，导热率为160～185W/m－K、密度为2.9～3.1g/cm3、热膨胀系数为7.0～9.0×106/K，实现了近终成形、尺寸精度高、成本低。
基本信息
专利标题 ：
用粉末注射成形/压力熔浸法制备电子封装材料的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794435A
申请号 ：
CN200510086820.8
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贾成厂尹法章褚克平延磊曲选辉
申请人 ：
北京科技大学
申请人地址 ：
100083北京市海淀区学院路30号
代理机构 ：
北京科大华谊专利代理事务所
代理人 ：
刘月娥
优先权 ：
CN200510086820.8
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 B22F1/00 B22F3/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2013-01-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101382117925
IPC(主分类) : H01L 21/48
专利号 : ZL2005100868208
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20080123
终止日期 : 20111110
号牌文件序号 : 101382117925
IPC(主分类) : H01L 21/48
专利号 : ZL2005100868208
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20080123
终止日期 : 20111110
2008-01-23 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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