保护层、其形成材料和方法以及含有该保护层的PDP

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

提供一种由含选自稀土元素中的至少一种稀土元素的氧化镁制成的保护层，其中至少一种稀土元素的含量为约5.0×10^－5－约6.0×10^－4/1重量份氧化镁，用于形成该保护层的复合物，形成该保护层的方法和含有该保护层的等离子体显示面板。该保护层可以降低放电延迟时间和放电延迟时间的温度依赖性，因此，适合于单扫描以及Xe含量的增加。

基本信息

专利标题：

保护层、其形成材料和方法以及含有该保护层的PDP

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1821136A

申请号：

CN200510104699.7

公开（公告）日：

2006-08-23

申请日：

2005-12-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李玟锡崔钟书金奭基Y·马图勒维奇金哉赫徐淳星

申请人：

三星SDI株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

范赤

优先权：

CN200510104699.7

主分类号：

C03C17/23

IPC分类号：

C03C17/23 C04B35/04