具有紫外光保护层的半导体元件及其制造方法
授权
摘要
本发明提供一种具有紫外光保护层的半导体元件及其制造方法，具体为在一半导体基底上形成一种紫外光保护层，用来保护底部材料及电子元件，避免与紫外光反应或因照射而造成损害。紫外光保护层包括一杂质掺杂硅层，其中掺杂物包括氧、碳、氢及氮或上述元素的组合。紫外光保护层包括SiOC∶H、SiON、SiN及SiCO∶H或上述组合或以上述材料所形成的多层结构。本发明所述具有紫外光保护层的半导体元件及其制造方法，可保护下层的电子元件免于暴露在紫外光下而造成损害。
基本信息
专利标题 ：
具有紫外光保护层的半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797747A
申请号 ：
CN200510109275.X
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴振诚卢永诚柯忠祁
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510109275.X
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L29/00 H01L29/78 H01L29/92
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2008-07-09 ：
授权
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
