一种有机半导体化合物及其制备方法与应用

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种有机半导体化合物及其制备方法与应用。本发明所提供的有机半导体化合物之结构式如式I所示，其中，R₁、R₂、R₃为式II结构的氰基乙酸酯亚基或O原子，且R₁、R₂、R₃不同时为O原子；式II中R为碳原子数为1－8的烷基。本发明所提供的新型有机半导体化合物具有优良的电子传输性能，便于大批量合成；该化合物可用于制造激光打印机和静电复印机的正充电双层及单层结构光受体，该类光受体在表面正充电的工作模式下表现出优良的光导电性能，其光导性能已经达到目前被广泛应用的负充电双层光受体的水平。正充电工作模式使得所提供的光受体在器件稳定性及环保等方面比负充电的光受体更具优势，具有广泛的应用前景。

基本信息

专利标题：

一种有机半导体化合物及其制备方法与应用

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1962621A

申请号：

CN200510115725.6

公开（公告）日：

2007-05-16

申请日：

2005-11-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王远张鑫然晁伟马严郝锐

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

关畅

优先权：

CN200510115725.6

主分类号：

C07C255/40

IPC分类号：

C07C255/40 C07C253/30 C07C255/14 C07C49/563 H01L51/50