稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途

专利权的终止

摘要

本发明属于光电子材料技术领域，涉及稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及其作为电荷传输层用于有机薄膜晶体管。该有机半导体材料的结构通式如(A)其中为包括以下结构通式的基团：[见式(Ⅰ)(Ⅱ)(Ⅲ)]，其中X＝S，C＝C，Y＝C、N为稠环单元封端基团。本发明的有机半导体材料与噻吩齐聚物相比具有高的热稳定性及环境稳定性、高纯度和高迁移率等；在有机溶剂中溶解性极低，在器件制备过程中可采用成熟的光刻工艺，作为传输层应用于有机薄膜晶体管，制备的器件在空气中稳定。

基本信息

专利标题：

稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1807428A

申请号：

CN200510119064.4

公开（公告）日：

2006-07-26

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

耿延候田洪坤史建武

申请人：

中国科学院长春应用化学研究所

申请人地址：

130022吉林省长春市人民大街5625号

代理机构：

长春科宇专利代理有限责任公司

代理人：

马守忠

优先权：

CN200510119064.4

主分类号：

C07D409/14

IPC分类号：

C07D409/14 C07D417/14 C07D333/04 C07D495/04 C07D513/04 H01L51/30