高迁移率发光半导体及其制备方法、用途和应用方法
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摘要
本发明公开了高迁移率发光半导体及其制备方法、用途和应用方法，高迁移率发光半导体的制备方法包括芳基溴代物或碘代物与芳基硼酸或硼酸酯之间的铃木偶联化学反应，高迁移率发光半导体的应用到器件的方法，器件采用底栅顶接触器件结构，栅极采用n型的掺杂硅，热生长一层300nm的SiO2作为绝缘层，在沉积有机半导体层之前，栅极绝缘层用OTS在真空炉120℃进行修饰，形成单层OTS修饰层；修饰层相继用氯仿，正己烷，异丙醇和丙酮进行清洗，并利用高迁移率发光半导体采用旋涂的方式进行镀膜。本发明合成得到的材料，表现出聚集诱导发光的性质，而传统的荧光染料在高浓度条件下则具有聚集诱导荧光猝灭的现象，因此有效克服了传统的荧光染料的缺陷。
基本信息
专利标题 ：
高迁移率发光半导体及其制备方法、用途和应用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109456327A
申请号 ：
CN201811026553.9
公开（公告）日 ：
2019-03-12
申请日 ：
2018-09-04
授权号 ：
CN109456327B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
唐本忠赵征
申请人 ：
香港科技大学
申请人地址 ：
中国香港九龙清水湾
代理机构 ：
深圳市顺天达专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭伟刚
优先权 ：
CN201811026553.9
主分类号 ：
C07D471/06
IPC分类号 ：
C07D471/06 C09K11/06 H01L51/00 H01L51/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07D
杂环化合物
C07D471/00
在稠环系中含有氮原子作为仅有的杂环原子、其中至少1个环是含有1个氮原子的六元环的杂环化合物，C07D451/00至C07D463/00不包括的
C07D471/02
在稠环系中含两个杂环
C07D471/06
迫位稠合系
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-04-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07D 471/06
申请日 : 20180904
申请日 : 20180904
2019-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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