一种半导体发光元件及其制备方法、LED芯片
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种半导体发光元件及其制备方法、LED芯片。半导体发光元件包括图形化衬底，N型半导体层、发光层和P型半导体层；P型半导体层、发光层和部分N型半导体层的侧壁组成了第一侧壁；除第一侧壁以外的N型半导体层的侧壁为第二侧壁；第二侧壁与所述图形化衬底之间裸露出图形化结构的台阶面为第一台阶面；图形化衬底的侧壁为第三侧壁。通过设置多层侧壁结构，能够提高半导体发光元件的出光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体发光元件及其制备方法、LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335281A
申请号 ：
CN202111682112.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵洋宋林青廖汉忠芦玲
申请人 ：
淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市清河新区景秀路6号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张金铭
优先权 ：
CN202111682112.6
主分类号 ：
H01L33/24
IPC分类号 ：
H01L33/24 H01L33/20 H01L33/00
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/24
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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