具有纹理结构的半导体发光装置及其制备方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供了一种具有纹理结构的半导体发光二极管以及制备该半导体发光二极管的方法，半导体发光二极管具有能够提高光提取效率和减少半导体发光二极管的晶体缺陷的纹理结构。该半导体发光二极管包括：形成为纹理结构的第一半导体层；形成在图案化的第一半导体层的纹理结构之间的中间层；以及在第一半导体层和中间层上依序形成的第二半导体层、有源层和第三半导体层。

基本信息

专利标题：

具有纹理结构的半导体发光装置及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1812144A

申请号：

CN200510129422.X

公开（公告）日：

2006-08-02

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李庭旭成演准白好善

申请人：

三星电机株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510129422.X

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00

法律状态

2013-01-09 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101493592883
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL200510129422X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星LED株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道水原市
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121211

2010-10-27 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101033985984
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL200510129422X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电机株式会社
变更后权利人 : 三星LED株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道水原市
登记生效日 : 20100909

2009-04-22 ：

授权

2008-01-16 ：

实质审查的生效

2006-08-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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