半导体发光装置

专利权的终止

摘要

本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构：具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110)，上述衬底部件(130)具备：基板(131)；电极部(正电极134、负电极135、凸块140～144)，配置在上述基板(131)的上表面上，与上述半导体发光元件(110)直接接触；及反射部(132)，配置在上述基板(131)的上表面上，不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置，不管反射率高的材料是否适合作为电极，可以用它将输出光高效地输出到外部。

基本信息

专利标题：

半导体发光装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101527343A

申请号：

CN200910132585.1

公开（公告）日：

2009-09-09

申请日：

2005-11-11

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

小屋贤一岸本幸男

申请人：

松下电器产业株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

陈萍

优先权：

CN200910132585.1

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00