半导体发光装置
公开
摘要
本发明的目的在于抑制半导体发光装置相对于电路衬底倾斜。本发明的侧面发光型半导体发光装置1具备：多层衬底10，具有多个基材10A～10C与多个导电层31、32；及半导体发光元件60A、60B。多层衬底10具有：主面11，安装着半导体发光元件60A、60B；背面12，朝向主面11的相反侧，且形成着外部电极50；及安装面13，与主面11及背面12这两个面交叉。多个导电层31、32具有从安装面13露出的导电露出部33s、33r、34s、34r、35sb、35rb、36sb、36rb。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551700A
申请号 ：
CN202111139743.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
外山智一郎
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
奚勇
优先权 ：
CN202111139743.3
主分类号 ：
H01L33/62
IPC分类号 ：
H01L33/62
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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