半导体发光装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种半导体发光二极管和其制作方法，其中在织构化表面上沉积含铟(In)发光层以及后续装置层。所得装置是无磷光体的白光光源。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101584047A
申请号 ：
CN200680004323.1
公开（公告）日 ：
2009-11-18
申请日 ：
2006-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
拉亚·夏尔马保罗·摩根·帕蒂森约翰·F·克丁中村修二
申请人 ：
加利福尼亚大学董事会
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王允方
优先权 ：
CN200680004323.1
主分类号 ：
H01L29/22
IPC分类号 ：
H01L29/22 H01L33/00
法律状态
2013-05-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101591207585
IPC(主分类) : H01L 29/22
专利申请号 : 2006800043231
申请公布日 : 20091118
号牌文件序号 : 101591207585
IPC(主分类) : H01L 29/22
专利申请号 : 2006800043231
申请公布日 : 20091118
2010-01-13 ：
实质审查的生效
2009-11-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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