半导体发光装置
授权
摘要
本实用新型的课题是抑制子装配的固定时的光电二极管的位置偏移。半导体发光装置的一方案具备：放出光的半导体发光元件；探测从上述半导体发光元件放出的光的输出功率的光电二极管；通过利用第1熔敷材料的熔敷而固定有上述光电二极管的管座；和通过利用凝固开始温度低于上述第1熔敷材料的第2熔敷材料的熔敷固定于上述管座上且搭载有上述半导体发光元件的子装配。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921772079.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-22
授权号 ：
CN211017734U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
神津孝一柳泽浩德
申请人 ：
优志旺光半导体有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
白丽
优先权 ：
CN201921772079.4
主分类号 ：
H01S5/026
IPC分类号 ：
H01S5/026 H01S5/022 H01L33/48 H01L33/62
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法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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