半导体变色发光装置
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要

本实用新型涉及一种半导体变色发光装置,包括反射框或反射座(1)、反射腔(2)、线路板(3)、半导体发光晶粒(4)和光学变色罩(5);所述线路板(3)嵌装在所述反射框或反射座(1)中;所述光学变色罩(5)连接在所述反射框或反射座(1)上;所述半导体发光晶粒(4)直接固晶在所述线路板(3)上;所述反射腔(2)位于至少一个所述半导体发光晶粒(4)和所述光学变色罩(5)之间,用于使至少一个所述半导体发光晶粒(4)与所述光学变色罩(5)之间彼此非接触;所述半导体发光晶粒(4)的光色与所述光学变色罩(5)的表面光色是变化的、不同的。本实用新型制造工艺简单、效率高、成本低;光色均匀、一致性好。

基本信息
专利标题 :
半导体变色发光装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620015360.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-10-23
授权号 :
CN200969347Y
授权日 :
2007-10-31
发明人 :
徐新胜
申请人 :
徐新胜
申请人地址 :
518034广东省深圳市福田区景田北街馨庭苑慧轩1202室
代理机构 :
深圳市顺天达专利商标代理有限公司
代理人 :
郭伟刚
优先权 :
CN200620015360.X
主分类号 :
H01L25/00
IPC分类号 :
H01L25/00  F21V9/10  F21V17/00  G09F9/33  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2009-07-29 :
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 2009722
2007-10-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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