具有一个集成加热元件的反熔断器结构

专利权的终止

摘要

本发明提供具有一个集成电路元件的反熔断器结构以及把该熔断器编程为通状态的方法，该熔断器结构包含第一和第二导体和在两导体之间形成的一电介质层，其中一个导体或二个导体既起着常规反熔断器导体的作用，又起着在把反熔断器改变为通状态时直接加热反熔断器电介质层的作用。

基本信息

专利标题：

具有一个集成加热元件的反熔断器结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1812086A

申请号：

CN200510119438.2

公开（公告）日：

2006-08-02

申请日：

2005-11-11

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朴炳柱伊耶尔·苏布拉曼年库坦达拉曼·昌德拉塞卡拉

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

优先权：

CN200510119438.2

主分类号：

H01L23/525

IPC分类号：

H01L23/525

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

H01L23/525

具有可适用互连装置的

法律状态

2019-11-05 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/525
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20181111

2017-12-05 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/525
登记生效日 : 20171115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-12-05 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/525
登记生效日 : 20171115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2009-04-15 ：

授权

2006-09-27 ：

实质审查的生效

2006-08-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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