生产高密度半导体功率器件的钴－硅接触绝缘金属工艺

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明介绍了一种改进的槽沟金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元，它包含一个由源区包围的槽沟门，源区被漏极区上方的本体区围绕，漏极区位于衬底的底部表面。该MOSFET单元还包含通过保护绝缘层延伸到所述本体区和源区的区域顶部开出的源接触开口。其中，该区域还拥有一层排列在衬底顶部表面附近的钴－硅层。该MOSFET单元还进一步包含一层Ti/TiN导电层，该导电层覆盖源接触开口上方的、与钴－硅层交界的区域。另外，该MOSFET单元还包含一层在Ti/TiN导电层顶部生成的源接触金属层，该导电层可在此随时生成源结合导线。

基本信息

专利标题：

生产高密度半导体功率器件的钴－硅接触绝缘金属工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1941410A

申请号：

CN200510119862.7

公开（公告）日：

2007-04-04

申请日：

2005-11-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

常虹李铁生戴嵩山伍明谦安荷叭剌

申请人：

万国半导体股份有限公司

申请人地址：

百慕大哈密尔敦

代理机构：

上海新天专利代理有限公司

代理人：

衷诚宣

优先权：

CN200510119862.7

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/02 H01L21/336 H01L21/82

法律状态

2018-03-09 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/78
登记生效日 : 20180213
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 重庆万国半导体科技有限公司
变更后权利人 : 万国半导体（开曼）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 400700 重庆市北碚区水土高新技术产业园云汉大道5号附407
变更后权利人 : 英属西印度群岛开曼群岛大开曼岛KY1-1107玛丽街122号和风楼709邮箱

2016-10-26 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移变更前权利人 : 百慕大哈密尔敦
变更后权利人 : 400700 重庆市北碚区水土高新技术产业园云汉大道5号附407
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101740829826
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101198627
登记生效日 : 20161010
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 万国半导体股份有限公司
变更后权利人 : 重庆万国半导体科技有限公司
变更事项 : 地址

2011-12-14 ：

授权

2007-05-30 ：

实质审查的生效

2007-04-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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