R－T－B系永磁铁以及镀膜
授权
摘要
本发明的目的在于提供一种R－T－B系永磁铁，其具有容易适用于实际的R－T－B系永磁铁的制造、且可以有效地确保硬度的镀膜。本发明通过R－T－B系永磁铁(1)解决上述问题，该R－T－B系永磁铁具有由烧结体构成的磁铁基材(2)和覆盖磁铁基材表面的镀膜(3)，所述烧结体至少包含由R2T14B化合物构成的主相晶粒和比前述主相晶粒含有更多的R的晶界相，在镀膜(3)中，将C含量以wt％为单位记作Cc时，0.005＜Cc≤0.2wt％。在本发明中，镀膜(3)的C含量优选为0.006≤Cc≤0.18wt％。另外，作为镀膜(3)，可以含有电解Ni镀膜。另外，R表示含有Y的稀土类元素中的1种、2种或更多种，T表示以Fe或以Fe和Co为必须成分的1种、2种或更多种过渡金属元素。
基本信息
专利标题 ：
R－T－B系永磁铁以及镀膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794375A
申请号 ：
CN200510134110.8
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中山靖之山沢和人
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈建全
优先权 ：
CN200510134110.8
主分类号 ：
H01F7/02
IPC分类号 ：
H01F7/02 H01F1/055 H01F10/10 H01F41/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F7/00
磁体
H01F7/02
永久磁体
法律状态
2009-12-23 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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