为介质CVD膜实现晶片间厚度均匀性的高功率介质干燥
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种用于对沉积室进行干燥的方法，其中，在衬底上沉积有机硅材料之前，用不含碳的材料对室部件和壁进行致密的涂敷。可以在其间沉积含碳层。提供了一种使用低能量等离子体和低压来从内部室表面除去残余物的室清洁方法，该方法可以与干燥处理相结合。
基本信息
专利标题 ：
为介质CVD膜实现晶片间厚度均匀性的高功率介质干燥
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101061256A
申请号 ：
CN200580037552.9
公开（公告）日 ：
2007-10-24
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
纳格哈彦·哈加高帕兰夏立群米歇拉·巴尔瑟努托马斯·诺瓦克哈恩简纳·沙赫许汇文查德·彼得森德里克·R·维蒂海澈姆·穆萨德
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
赵飞
优先权 ：
CN200580037552.9
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2015-12-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101638878729
IPC(主分类) : C23C 16/44
专利号 : ZL2005800375529
申请日 : 20051103
授权公告日 : 20100106
终止日期 : 20141103
号牌文件序号 : 101638878729
IPC(主分类) : C23C 16/44
专利号 : ZL2005800375529
申请日 : 20051103
授权公告日 : 20100106
终止日期 : 20141103
2010-01-06 ：
授权
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2007-10-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
