制备含有硅β沸石的介电中间层膜的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种在衬底、例如硅片上形成β沸石介电层的方法。该β沸石的特征在于，其Si/Al比为至少25和具有5～40纳米的微晶。该方法包括首先将起始β沸石脱铝，然后制备所述脱铝的β沸石的浆料，之后用该浆料涂布衬底，例如硅片，加热以形成β沸石膜和用甲硅烷基化试剂处理该β沸石。
基本信息
专利标题 ：
制备含有硅β沸石的介电中间层膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101080363A
申请号 ：
CN200580043111.X
公开（公告）日 ：
2007-11-28
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H·阿布雷沃亚R·R·维利斯S·T·威尔逊
申请人 ：
环球油品公司
申请人地址 ：
美国伊利诺伊
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
林柏楠
优先权 ：
CN200580043111.X
主分类号 ：
C01B39/48
IPC分类号 ：
C01B39/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B39/00
具有分子筛和碱交换特性的化合物，如结晶沸石；其制备；后处理，如离子交换或脱铝作用
C01B39/02
结晶硅酸铝沸石；其同晶化合物；其直接制备方法；以含另一类结晶沸石的反应混合物或以预成形的反应物作原料的制备方法；其后处理
C01B39/46
以其X-射线衍射图和其限定成分为特征的其他类型
C01B39/48
用至少一种有机模板定向剂
法律状态
2010-08-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101006989565
IPC(主分类) : C01B 39/48
专利申请号 : 200580043111X
公开日 : 20071128
号牌文件序号 : 101006989565
IPC(主分类) : C01B 39/48
专利申请号 : 200580043111X
公开日 : 20071128
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-11-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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