用于消除来自化学蒸汽刻蚀腔的副产品沉积的原位腔清洁制程
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摘要

本发明提供一种用于清洁处理反应室的方法与设备,此方法包含阻挡冷却流体流入位于处理反应室内的支持构件的通道中;升高支持构件至距离气体分配盘约0.1英寸以内;加热气体分配盘;以及导入热传导气体通过气体分配盘而进入处理反应室中。在一个态样中,反应室包含反应室主体与支持组件,此支持组件至少部分设置在反应室主体内且用于支撑基板于其上。反应室另包含盖组件,其设置在反应室主体的上表面。盖组件包含顶板与气体输送组件,此二者在其间定义出等离子体腔室,其中此气体输送组件是用以加热基板。具有U型等离子体区域的远程等离子体源是连接至此气体输送组件上。

基本信息
专利标题 :
用于消除来自化学蒸汽刻蚀腔的副产品沉积的原位腔清洁制程
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101437981A
申请号 :
CN200580043491.7
公开(公告)日 :
2009-05-20
申请日 :
2005-12-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
高勤台仇金培塞法道·P·乌莫吐伊张梅袁晓雄张宇卢欣亮潘希恩威廉·邝初国川戴维·T·沃
申请人 :
应用材料股份有限公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
上海专利商标事务所有限公司
代理人 :
陆 嘉
优先权 :
CN200580043491.7
主分类号 :
C23F1/00
IPC分类号 :
C23F1/00  H01L21/306  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料;金属材料的缓蚀;一般防积垢;至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
法律状态
2012-07-04 :
授权
2012-01-11 :
著录事项变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101262314894
IPC(主分类) : H05H 1/24
专利申请号 : 2005800434917
变更事项 : 申请人
变更前 : 应用材料股份有限公司
变更后 : 应用材料公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
2009-07-15 :
实质审查的生效
2009-05-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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