化学机械抛光垫修整器

专利权的终止

摘要

本发明是揭露一CMP抛光垫修整器及其制造方法，本发明的一方面是提供超研磨颗粒在树脂层中具有改善的保持率的CMP抛光垫修整器(20)，该CMP抛光垫包括一树脂层(14)、保持在树脂层(14)中的超研磨颗粒(12)以及设置在每一个超研磨颗粒(12)以及该树脂层(14)之间的一金属涂布层(16)，每一个超研磨颗粒(12)的暴露部(26)是突出于该树脂层(14)且实质上不与金属涂布层(16)接触。使用该金属涂布层(16)比没有使用时增加了超研磨颗粒(12)在该树脂层(14)的保持率。

基本信息

专利标题：

化学机械抛光垫修整器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101094746A

申请号：

CN200580045345.8

公开（公告）日：

2007-12-26

申请日：

2005-12-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

宋健民

申请人：

宋健民

申请人地址：

中国台湾台北县

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁

优先权：

CN200580045345.8

主分类号：

B24B1/00

IPC分类号：

B24B1/00 B24D11/00 B24B21/18 B24D17/00 B24B53/00 B24D18/00 B24B53/12 C09K3/14 B24D3/00