形成用于n-FET应用的HfSiN金属的方法

专利权的终止

摘要

一种包括HfSiN的化合物金属，所述HfSiN为具有约4.0至约4.5eV，优选约4.3eV的功函数的n型金属，在包括高k介质和界面层的栅极叠层上热稳定。此外，在高温(约1000℃的量级)下退火HfSiN/高k介质/界面层的叠层之后，存在对界面层的还原，由此栅极叠层产生非常小的等效氧化物厚度(典型的12)，这是使用TaSiN所不能获得的。

基本信息

专利标题：

形成用于n-FET应用的HfSiN金属的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101401211A

申请号：

CN200580046527.7

公开（公告）日：

2009-04-01

申请日：

2005-12-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

A·C·卡勒伽里M·M·弗兰克R·詹米D·L·拉赛F·R·麦克菲力S·扎法尔

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200580046527.7

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/088 H01L21/336

法律状态

2020-11-13 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20120321
终止日期 : 20191202

2017-12-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/78
登记生效日 : 20171110
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-12-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/78
登记生效日 : 20171110
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2012-03-21 ：

授权

2009-05-27 ：

实质审查的生效

2009-04-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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