形成用于n-FET应用的HfSiN金属的方法

专利权的终止

摘要

一种包括HfSiN的化合物金属，所述HfSiN为具有约4.0至约4.5eV，优选约4.3eV的功函数的n型金属，在包括高k介质和界面层的栅极叠层上热稳定。此外，在高温(约1000℃的量级)下退火HfSiN/高k介质/界面层的叠层之后，存在对界面层的还原，由此栅极叠层产生非常小的等效氧化物厚度(典型的12)，这是使用TaSiN所不能获得的。

基本信息

专利标题：

形成用于n-FET应用的HfSiN金属的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101789370A

申请号：

CN201010136612.5

公开（公告）日：

2010-07-28

申请日：

2005-12-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

A·C·卡勒伽里M·M·弗兰克R·詹米D·L·拉赛F·R·麦克菲力S·扎法尔

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN201010136612.5

主分类号：

H01L21/285

IPC分类号：

H01L21/285 H01L29/49

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/28

用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的

H01L21/283

用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积

H01L21/285

气体或蒸气的沉积，例如冷凝

法律状态

2020-11-13 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/285
申请日 : 20051202
授权公告日 : 20120530
终止日期 : 20191202

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/285
登记生效日 : 20171107
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/285
登记生效日 : 20171107
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2012-05-30 ：

授权

2010-09-22 ：

实质审查的生效

号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101006038713
IPC(主分类) : H01L 21/285
专利申请号 : 2010101366125
申请日 : 20051202

2010-07-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

1、

CN101789370B.PDF

PDF下载

2、

CN101789370A.PDF

PDF下载